您的位置:首页 > 微波资源 >教程 | |||
|
§4.1 概 述 [下一节][目录] 辅助教学图(flash) 谐振腔是在微波频率下工作的谐振元件,它是一个任意形状的由导电壁(或导磁壁)包围的,并能在其中形成电 一、谐振腔中振荡的物理过程 随着工作频率的升高,如同用分布参数取代集中参数电路一样,集中参数的LC谐振回路,由于辐射损耗,导体及 二、谐振腔的分类和分析方法
|
||
§ 4.2微波谐振腔的基本参数 [上一节][下一节][目录] 下面分别从场及能量的观点对它们进行讨论。 一、谐振频率(或谐振波长) (4.2-1) 式中,,为谐振腔中介质参数,是由腔壁导体指向外的法向单位矢量,k是与谐振腔的几何形状、尺寸及波型有关的数值。在谐振腔内满足式(4.2-1)的电磁场对应于一系列的确定的 或 (4.2-2) 求出了本征值后,谐振腔的谐振频率即可由式(4.2-2)求出。在微波谐振腔中也存在着具有相同谐振频率而场结 上式表明,在一定的腔体尺寸下,只有那些在腔中满足一定驻波分布的电磁振荡才能存在,而它们的波导波长l由腔的截 该电磁振荡所对应的波长称为谐振波长。对于非色散波(TEM波),因为,故有 (4.2-3) 对于色散波(如TE,TM波),因为 故有 (4.2-4) 相应的谐振频率可由的关系求出。 (2) 等效电路法 相位法---对于用一段传输线且其两端分别接有等效负载,构成的谐振腔,可用相为法求谐振频率.其等效电路图 当和的相位差为(同相位)时,两波叠加.因此振荡条件为 对非色散波, 由上式便可求出谐振频率。 二、品质因数Q (4.2-5) 其中为腔的平均损耗功率.腔内储能是电能和磁能之和,当磁能最大时,电能为零,反之亦然。因此,储能W可表示 (4.2-6) 式中V为腔的体积,和为腔所填介质的介质常数.当只考虑导体损耗时,腔的平均损耗功率为 (4.2-7) 式中S为腔内表面的面积,为腔的表面电流密度,而是表面电阻率,为腔内表面的切向磁场. (4.2-8) 如果腔中充满介质(如介质腔),则除导体损耗外还存在介质损耗,设介质的电导率为,则腔内的介质损耗功率为 (4.2-9) 因此,若仅考虑介质损耗时,腔的品质因素为: (4.2-10) 式中,为介质损耗角正切,是表征介质材料损耗程度的一个参量,它等于传导电流与位移电流的比值. (4.2-11) 若腔内的能量不仅消耗在腔内,而且也有一部分能量耦合出来,消耗在负载上.这时
式中是谐振腔内部的损耗(如导体、介质损耗),是从腔内通过某种方式耦合到外界(负载)的功率。 (4.2-12) 式中,为谐振腔固有品质因素.称外界品质因素.为了描述谐振腔与外界耦合的强弱,工程上常常使用耦合系数定义: (4.2-14) 当时称欠耦合(或弱耦合);时称过耦合(或强耦合);则称临界耦合.将式(4.2-14)代入式(4.2- (4.2-15) 三、等效电导 谐振腔的等效电导是腔中有功损耗的量度。它将谐振腔等效为集总参数谐振回路而得到的一个参数。 如图(4-2)所示,把谐振腔等效为并联谐振回路.设加于谐振回路上的电压幅值,则谐振回路的损耗功率为: 故等效电导为 (4.2-16) 式中Pl可按式(4.2-7)及式(4.2-9)计算;与波导传输线一样,谐振腔中的"电压"计算与积分路径有关,即电压不是单值 将式(4.2-7)及上式代入(4.2-16),可求得的表达式为: (4.2-17) 综上所述,只要求得谐振腔的基本参数及,就可求得等效电路的有关参数,反之亦然.此外,还应指出,对同一谐振腔,当振荡模式不同时,和的数值也不同.
|
|||
矩形谐振腔是由一段两端用导体板封闭的矩形波导构成的.如图4-3所示.它的腔体尺寸为.下面讨论矩形 一、电磁场分量及振荡模式 矩形腔中电磁振荡可看成是波导中的波在两端壁来回反射形成稳定的驻波。因此求解腔中场结构,可利用矩形波 (4.3-1) 该合成波的场应满足两端壁导体边界条件: 当时, (4.3-2a) 由边界条件(4.3-2a)可得: (4.3-3) 由边界条件(4.3-2a)式,可得:
故有 (4.3-4) 将式(4.3-3)及(4.3-4)代入(4.3-1)式,可得: (4.3-5) 参照矩形波导场表示式,可得TE振荡模的场分量表示式为: (4.3-6) 式中 (4.3-7) 对于不同的m,n,p值,它们有不同的场结构,分别对应于不同的振荡模式,记作模. 2.TM型振荡模式 (4.3-8) 从上面的表示式可知,矩形谐振腔中可以存在无穷多个振荡模式及模,其中对模,m,n中只能有一个为零,但p不能为零,对,m,n都不能为零,但p可以为零.下标m,n,p为整数,分别表示沿x,y,z方向变化的驻波 二、矩形谐振腔的基本参数 1.谐振波长为
代入式(4.2-4),可得矩形谐振腔的谐振波长为 (4.3-9) 通常,最低振荡模式称为基模,当时,其振荡频率最低,其它模式干扰最小,调谐范围最宽,场结构也比较简单稳定.令,由(4.3-6)式,可得模场分量: (4.3-10) 根据(4.3-10)式,可画出模的场结构如图(4-4)所示 的谐振波长为 (4.3-11) 2.固有品质因素 (4.3-13) 将(4.3-12)式及(4.3-13)使代入(4.3-8)式,可得 (4.3-14) 对于立方腔,,由式(4.3-9)得,式(4.3-14)可简化为 (4.3-15) 在实际的应用中,由于制作腔体的导体材料不同,常采用“波形因素”来表征谐振腔的性质,它定义为,对于 (4.3-16) 3.等效电导 如前所述,等效电导与等效电压的积分路径有关,对于模的等效电导可按(4.2-7)式计算.如选择腔的顶壁的中心(即)两点作为电压的计算点,并取y轴方向为积分路径,可求得: (4.3-17) 式中是腔介质的波阻抗,将式(4.3-13)及式(4.3-17)代入(4.2-17)式,可得 (4.3-18)
|
|||
|
圆柱形谐振腔是由一段圆形波导两端用导体板封闭构成的,如图4-5所示。它的半径为a,长度为l。它的计算方 一、振荡模式和谐振波长 模: (4.4-1) 式中m=0,1,2,...;n=1,2,3,...;p=1,2,3,... 模: (4.4-2) 式中m=0,1,2,...;n=1,2,3,...;p=1,2,3,... 模: (4.4-3) 模: (4.4-4) 二、圆柱形腔的三种实用的振荡模 在圆柱形谐振腔的各种模式中,、和三种模式最有实用价值。下面对它们分别进行讨论。 (4.4-5) 式中,腔壁上电流分布由求出.其场结构及电流分布如图4-6所示. 模的谐振波长,由(4.4-4)式可得 (4.4-6) 模的品质因素的计算,由矩形腔计算Q0的方法,由(4.2-8)式,可求得 (4.4-7) 2.模 (4.4-8) 的场结构及腔壁电流分布如图4-7所示. 模的谐振波长为 (4.4-9) 模的值,可由(4.2-8)式计算求得 (4.4-10) 当p>1时,的表示式为: (4.4-11) 3.模 (4.4-12) 因为的,是圆形波导中最大的截止波长;而p=1是中p的最小取值,所以,模是各种模 (4.4-13) 解得:时,模比模有更长的谐振波长,或者说,在此条件下,模是圆柱形腔中的主模.反之
|
||
在这一节里,我们将介绍以色散波(即TEM波或准TEM波)为主的常用的微波谐振器,如同轴线谐振腔,微带谐振器及 一、同轴线谐振 1.同轴腔 同轴腔是由一段两端短路的同轴线构成,其结构如图4-9所示.为满足两端为驻波的电压节点的边界条件,在谐振状态下,其腔长l应是的整数倍. 所以,它的谐振波长为 (4.5-1) 同轴腔的值,可由(4.2-6)式计算.同轴腔中工作于TEM模式时,其电磁场分量为: (4.5-2) 其场结构也示于图4-9中,取n=1,,以式(4.5-2)代入(4.2-6),注意到计算腔肿功率损耗时,包含有内外导体表面的导体损耗和两端路端壁的导体损耗.和矩形腔的计算相似,可得同轴腔的值为: (4.5-3) 2.同轴腔 同轴腔由一端短路,另一端开路的同轴线段构成,如图4-10所示,开路端的实现应用了圆波导中过极限波导的概念 而代入上式可得 (4.5-4) 即在谐振时,腔长l应是的奇数倍.同轴腔的值和同轴腔的差别是少了一个端面的导体损耗,其值为 (4.5-5) 同轴腔内外导体直径的选择原则,是在保证腔能工作于TEM波而不出现高次模,及腔有较高的值外,.还要考虑 (4.5-6) 不等式的第三个条件,是由于模是圆波导的最低次模,其截止波长 因此,同轴腔的最短工作波长为. 3.电容加载同轴腔 电容加载同轴腔是为适应分米波的工作而总体结构又不太长而提出来的.其结构及等效电路如图4-11所示.其一端短路 (4.5-7) 集中电容C由两部分组成,一部分可看成是内导体(圆截面)与端壁构成的平板电容,其间距为h,即 另一部分是内导体侧面与端壁构成的边缘电容,若设边缘电力线为1/4圆弧,则有: 因此 (4.5-8) 式(4.5-7)是一个超越方程,它的求解可编程用计算机进行数值解法,或用图解法. 二、微带谐振器 1.和微带线谐振器 (4.5-10) 式中l是微带导体条的长度,为微带内波长,为有效介电常数. (4.5-11) 式中W和h分别导体带宽度和介质层厚度.当时,上式的误差不大于4%.类似地,微带谐振 (4.5-12) 2.环形微带谐振器 (4.5-13) 式中,为真空中谐振波长.为了避免高次模的出现,应选择环线的宽度满足如下关系式: (4.5-14) 三、重入式谐振腔 由于微波谐振腔具有很高的品质因数和良好的电磁屏蔽性,已广泛应用于超高频电子器件和固体器件中,如反射 (4.5-15) 集中电容的计算,和电容加载同轴腔相似,看成是平板电容和边缘电容之和,即 (4.5-16a) 于是,重入式腔的谐振频率由确定,将(4.5-15)及式(4.5-16)代入,可得 (4.5-17a)
|
|||
§4.6 微波谐振腔的微扰理论 当谐振腔的腔壁或腔内填充的介质有微小变化时,谐振腔的基本参量为及等也有相应的微小变化。如果这 一、谐振腔微扰公式的推导 (4.6-1) 而微扰后的腔有 (在外) 用点乘(4.6-2)式,可得 (在外) (4.6-4) 用点乘(4.6-3)式,可得 (在外) (4.6-5) 同理,用点乘,用点乘,将对体 (4.6-6) (4.6-6)式化简为 (4.6-8) 式(4.6-8)就是谐振腔微扰理论的基本公式.下面再分别对介质微扰及腔壁微扰作进一步的讨论. 二、介质微扰 设放入空腔内微扰介质的体积很小,以致它对以外区域的场的影响可忽略不计。换句话说,近似地可以认为 (在之外) 在近似条件下,(4.6-8)式右边分母可化简等于4W,W是谐振腔的全部储能,于是(4.6-8)式简化为 (4.6-10) 通常,如果微扰的介质是电介质,则应置于腔内电场最强的地方,在该处磁场最弱,因而磁场可忽略不计(即在内,),如果微扰介质是磁性材料(磁介质),则应置于腔内磁场最强的地方,在该处电场可忽略不计(即在内,有 (4.6-16) 如果微扰的体积不是介质的体积,而是腔壁向里凹进一个小体积(例如可用一个小铜棒从腔壁插入),则由于腔壁一般是良导体,在内,有,于是,由(4.6-16)式可得 (4.6-17) 这就是谐振腔的腔壁微扰公式.
|
|||
微波谐振腔必须与外电路相连接作为微波系统的一个部件才能工作,即它必须由外电路引进微波信号在腔中激励起 一、电耦合(探针耦合) 它是利用插入谐振腔壁孔的一个探针来实现的,即通过电场的作用来实现耦合,因此称为电耦合。为激励起腔中 二、磁耦合 磁耦合是利用通过谐振腔壁的小孔而引入的耦合环实现的,因此也称为环耦合。耦合环是通过磁场耦合以激励腔 三、绕射耦合(小孔耦合) 波导与谐振腔的耦合通常是采用小孔耦合方式,它是利用谐振腔与波导的公共壁上开小孔或槽孔来实现的,谷又 四、电子耦合 在微波电子管中,谐振腔中的电磁振荡是由管内的电子束激励的,称为电子耦合。在这种情况下,电子束先由直 五、利用耦合装置避免干扰模的产生 前已指出,在谐振腔的设计中应尽量避免高次模的影响,这对腔体尺寸的选择应尽量使高次模不出现外,还应合
|
|||
新黄金城集团 版权所有 |
Emai: hdnet@hdmicrowave.com 电话:(029)85224787 |
地址:西安市长安南路欧风园4号楼2302室 邮编:710061 |